韩国三星已经开始量产3nm半导体。新的光刻技术有望将能耗提高 45%。此外，新工艺将保证性能提升高达 23%。同时，与采用 5 nm 光刻技术的晶体管相比，这些芯片的面积将缩小 16%。

这一壮举将使三星能够生产出功能更强大、功耗更低的芯片组。也就是说，功能更强大的处理器可以同时保证更长的电池寿命。此外，韩国因此领先于该领域的主要竞争对手台积电(台积电)。

三星开始量产3nm芯片

该公告是由韩国技术本身发布的，报告开始以更高的能源效率批量生产这些组件。另一方面，据彭博社报道，竞争对手台积电在这场竞赛中仍将落后，其生产方法将在 2022 年下半年准备就绪。

对于三星来说，这是一个重要的胜利，将转化为消费者的切实利益。在实践中，与当前的 5 nm 处理器相比，我们的能效很高(45%)。

此外，除了处理能力和性能提高 23% 之外，组件可以更加紧凑，占用的面积减少多达 16%。

总而言之，即将推出的 3 纳米处理器将提供高达 50% 的能量改进。同时，它们的功能将提高 30%，而且体积更小，这将为其他内部组件腾出空间。

更强大的芯片组，大幅降低能耗

新的半导体构造方法的核心在于MBCFET架构。在实践中，根据三星的说法，这个过程是 GAA(Gate-All-Around)技术的演变，该技术使用纳米层形式的晶体管。反过来，这些具有可调节的宽度，以减少能源消耗。同时，它们可以通过允许电流通过来提高性能。

韩国还告知，最初将生产 3 纳米芯片，以优先考虑高性能、低能耗，主要应用于计算。不过，三星声称最终这项技术也将应用于移动格式，用于移动设备。

最后，正如彭博社出版物还提到的那样，三星还计划在其位于美国德克萨斯州的新工厂生产这些芯片。在那里，根据公司的计划，生产将在 2024 年开始，但这将是应对当前半导体短缺的强大力量。